BRITTILäISET TUTKIJAT OVAT KEKSINEET MUISTIN, JOSSA YHDISTYVäT DRAMIN JA NANDIN EDUT - UUTISET

Brittiläiset tutkijat ovat keksineet muistin, jossa yhdistyvät DRAMin ja NANDin edut



{h1}
Toimituksen Valinta
Snapdragon 690 5G -alusta paljastettu - Qualcommin edullisin 5G-ratkaisu
Snapdragon 690 5G -alusta paljastettu - Qualcommin edullisin 5G-ratkaisu
Lancaster Universityn (Iso-Britannia) tutkijat ovat kehittäneet uuden haihtumattoman muistin. Muistilla sanotaan olevan sata kertaa vähemmän virtaa tietojen poistamiseen ja kirjoittamiseen kuin NAND tai DRAM.